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GermanyPEMT1,115
元器件型号详细信息
原厂型号
PEMT1,115
摘要
TRANS 2PNP 40V 0.1A SOT666
详情
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 2 PNP（双） 40V 100mA 100MHz 300mW 表面贴装型 SOT-666
原厂/品牌
Nexperia USA Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
4,000
供应商库存
技术参数
制造商
Nexperia USA Inc.
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计
晶体管类型
2 PNP（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）
40V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
200mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
120 @ 1mA，6V
功率 - 最大值
300mW
频率 - 跃迁
100MHz
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-563，SOT-666
供应商器件封装
SOT-666
基本产品编号
PEMT1
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
其它名称
PEMT1 T/R
PEMT1,115-ND
1727-2669-1
1727-2669-2
2156-PEMT1,115-NEX
934056707115
568-13183-2
PEMT1 T/R-ND
568-13183-1
568-13183-6
568-13183-1-ND
NEXNXPPEMT1,115
568-13183-2-ND
568-13183-6-ND
1727-2669-6
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极（BJT）/双极晶体管阵列/Nexperia USA Inc. PEMT1,115
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