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GermanyCY14B104NA-BA25I
元器件型号详细信息
原厂型号
CY14B104NA-BA25I
摘要
IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA
详情
NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 4Mb 并联 25 ns 48-FBGA（6x10）
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
299
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
-
包装
托盘
产品状态
停产
存储器类型
非易失
存储器格式
NVSRAM
技术
NVSRAM（非易失性 SRAM）
存储容量
4Mb
存储器组织
256K x 16
存储器接口
并联
写周期时间 - 字，页
25ns
访问时间
25 ns
电压 - 供电
2.7V ~ 3.6V
工作温度
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
48-TFBGA
供应商器件封装
48-FBGA（6x10）
基本产品编号
CY14B104
相关信息
RoHS 状态
不符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
3A991B2A
HTSUS
8542.32.0041
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /集成电路（IC）/存储器/存储器/Infineon Technologies CY14B104NA-BA25I
相关文档
规格书
1(CY14B104LA/NA)
产品培训模块
1(NVRAM (Nonvolatile RAM) Overview)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 6/Feb/2020)
PCN 设计/规格
1(Mult Dev Datasheet Chg 18/Dec/2019)
PCN 组装/来源
1(nvSRAM Family Wafer Fab/Test Site Add 17/Sep/2017)
PCN 封装
()
PCN 其他
1(Multiple Updates 27/Mar/2015)
价格
-
替代型号
-