元器件型号详细信息

原厂型号
IXTT12N140
摘要
MOSFET N-CH 1400V 12A TO268
详情
表面贴装型 N 通道 1400 V 12A(Tc) 890W(Tc) TO-268AA
原厂/品牌
IXYS
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装

技术参数

制造商
IXYS
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
1400 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2 欧姆 @ 6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
106 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
3720 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
890W(Tc)
工作温度
-
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-268AA
封装/外壳
TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA
基本产品编号
IXTT12

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/IXYS IXTT12N140

相关文档

规格书
1(IXTT,H12N140)
PCN 产品变更/停产
1(IXTKyyN140 Devices 10/Jun/2014)
HTML 规格书
1(IXTT,H12N140)

价格

-

替代型号

型号 : IXTT12N150
制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥135.70000
替代类型. : 直接