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GermanyDMN2501UFB4-7
元器件型号详细信息
原厂型号
DMN2501UFB4-7
摘要
MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
详情
表面贴装型 N 通道 20 V 1A（Ta） 500mW（Ta） X2-DFN1006-3
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
21 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
400 毫欧 @ 600mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
82 pF @ 16 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
X2-DFN1006-3
封装/外壳
3-XFDFN
基本产品编号
DMN2501
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
DMN2501UFB4-7DI-ND
DMN2501UFB4-7DITR
DMN2501UFB4-7DI
DMN2501UFB4-7DICT
DMN2501UFB4-7DIDKR
-DMN2501UFB4-7DITR
-DMN2501UFB4-7DICT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Diodes Incorporated DMN2501UFB4-7
相关文档
规格书
1(DMN2501UFB4)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
PCN 设计/规格
1(DFN1006-2,DFN1006-3 Part Marking Chg 27/Oct/2015)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Assembly/Test Sit Add 1/Mar/2018)
价格
数量: 75000
单价: $0.56971
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
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替代型号
型号 : PMZB290UNE2YL
制造商 : Nexperia USA Inc.
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单价. : ¥3.26000
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