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GermanyMMBTH10LT3G
元器件型号详细信息
原厂型号
MMBTH10LT3G
摘要
RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
详情
RF 晶体管 NPN 25V 650MHz 225mW 表面贴装型 SOT-23-3（TO-236）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
13 周
EDA/CAD 模型
标准包装
10,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
晶体管类型
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）
25V
频率 - 跃迁
650MHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）
-
增益
-
功率 - 最大值
225mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
60 @ 4mA，10V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
-
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装
SOT-23-3（TO-236）
基本产品编号
MMBTH10
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
其它名称
MMBTH10LT3GOSDKR
MMBTH10LT3GOSCT
ONSONSMMBTH10LT3G
MMBTH10LT3GOSTR
2156-MMBTH10LT3G-OS
MMBTH10LT3G-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极（BJT）/双极射频晶体管/onsemi MMBTH10LT3G
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规格书
1(NSV,S,MMBTH10L(4L))
环保信息
()
PCN 设计/规格
1(SOT23 16/Sep/2016)
PCN 组装/来源
1(Mold Compound 02/Apr/2020)
HTML 规格书
1(NSV,S,MMBTH10L(4L))
EDA 模型
()
价格
数量: 100000
单价: $0.21463
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 10000
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