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GermanyMT46H256M32R4JV-5 WT:B TR
元器件型号详细信息
原厂型号
MT46H256M32R4JV-5 WT:B TR
摘要
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 168VFBGA
详情
SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 8Gb 并联 200 MHz 5 ns 168-VFBGA（12x12）
原厂/品牌
Micron Technology Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
Micron Technology Inc.
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
存储器类型
易失
存储器格式
DRAM
技术
SDRAM - 移动 LPDDR
存储容量
8Gb
存储器组织
256M x 32
存储器接口
并联
时钟频率
200 MHz
写周期时间 - 字，页
15ns
访问时间
5 ns
电压 - 供电
1.7V ~ 1.95V
工作温度
-25°C ~ 85°C（TA）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
168-VFBGA
供应商器件封装
168-VFBGA（12x12）
基本产品编号
MT46H256M32
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.32.0036
其它名称
MT46H256M32R4JV-5 WT:B TR-ND
MT46H256M32R4JV-5WT:BTR
所属分类/目录
/产品索引 /集成电路（IC）/存储器/存储器/Micron Technology Inc. MT46H256M32R4JV-5 WT:B TR
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1(2Gb: x16, x32 Mobile LPDDR SDRAM)
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1(MT46H256M32R4JV-5 WT:B TR by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
-