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GermanySI3552DV-T1-E3
元器件型号详细信息
原厂型号
SI3552DV-T1-E3
摘要
MOSFET N/P-CH 30V 6TSOP
详情
MOSFET - 阵列 30V 2.5A 1.15W 表面贴装型 6-TSOP
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
36 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
105 毫欧 @ 2.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA（最小）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.2nC @ 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
-
功率 - 最大值
1.15W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装
6-TSOP
基本产品编号
SI3552
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SI3552DV-T1-E3TR
Q6936817FL
SI3552DV-T1-E3DKR
SI3552DV-T1-E3CT
SI3552DVT1E3
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Vishay Siliconix SI3552DV-T1-E3
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规格书
1(SI3552DV)
PCN 组装/来源
1(Mult Devs Alt Production Location 17/Jan/2023)
HTML 规格书
1(SI3552DV)
EDA 模型
1(SI3552DV-T1-E3 by Ultra Librarian)
价格
数量: 3000
单价: $2.15326
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
数量: 1000
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最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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替代型号
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