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GermanySTGW60H65DRF
元器件型号详细信息
原厂型号
STGW60H65DRF
摘要
IGBT 650V 120A 420W TO247
详情
IGBT 沟槽型场截止 650 V 120 A 420 W 通孔 TO-247-3
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
30
供应商库存
技术参数
制造商
STMicroelectronics
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
120 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
240 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.4V @ 15V，60A
功率 - 最大值
420 W
开关能量
940µJ（开），1.06mJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
217 nC
25°C 时 Td（开/关）值
85ns/178ns
测试条件
400V，60A，10 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
19 ns
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247-3
基本产品编号
STGW60
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
497-13166
-497-13166
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/STMicroelectronics STGW60H65DRF
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PCN 产品变更/停产
1(DK OBS NOTICE)
PCN 设计/规格
1(Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019)
PCN 组装/来源
1(IPG-PWR/14/8674 02/Sep/2014)
HTML 规格书
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价格
-
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