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GermanyNDBA100N10BT4H
元器件型号详细信息
原厂型号
NDBA100N10BT4H
摘要
MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
详情
表面贴装型 N 通道 100 V 100A（Ta） 110W（Tc） D²PAK（TO-263）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
800
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V，15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6.9 毫欧 @ 50A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
35 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2950 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
110W（Tc）
工作温度
175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D²PAK（TO-263）
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
NDBA10
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2156-NDBA100N10BT4H
2156-NDBA100N10BT4H-ONTR-ND
ONSONSNDBA100N10BT4H
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi NDBA100N10BT4H
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规格书
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环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Devices 28/Apr/2017)
EDA 模型
1(NDBA100N10BT4H by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
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