English
Spain
Rusia
Italy
GermanyFDP6030BL
元器件型号详细信息
原厂型号
FDP6030BL
摘要
MOSFET N-CH 30V 40A TO220-3
详情
通孔 N 通道 30 V 40A（Tc） 60W（Tc） TO-220-3
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
800
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
PowerTrench®
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
18 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
17 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1160 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
60W（Tc）
工作温度
-65°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220-3
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
FDP60
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
FAIFSCFDP6030BL
2156-FDP6030BL-OS
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FDP6030BL
相关文档
规格书
()
视频文件
1(Brushless DC Motor Control | Datasheet Preview)
环保信息
()
特色产品
1(ON Semiconductor - 30 V to 60 V Trench6 N-Channel MOSFET)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 17/Aug/2020)
PCN 设计/规格
1(Logo 17/Aug/2017)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Mold Chg 28/Oct/2019)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(TO220B03 Pkg Drawing)
价格
-
替代型号
型号 : PSMN022-30PL,127
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 0
单价. : ¥12.23000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥12.23000
替代类型. : 类似
型号 : PSMN4R3-30PL,127
制造商 : Rochester Electronics, LLC
库存 : 4,948
单价. : ¥13.45000
替代类型. : 类似
库存 : 4,948
单价. : ¥13.45000
替代类型. : 类似
型号 : STP40NF03L
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 1,967
单价. : ¥8.67000
替代类型. : 类似
库存 : 1,967
单价. : ¥8.67000
替代类型. : 类似
型号 : PSMN2R0-30PL,127
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 0
单价. : ¥20.82000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥20.82000
替代类型. : 类似