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元器件型号详细信息
原厂型号
STGW80H65FB-4
摘要
IGBT BIPO 650V 80A TO247
详情
IGBT 沟槽型场截止 650 V 120 A 469 W 通孔 TO-247-4
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
STMicroelectronics
系列
-
包装
管件
产品状态
在售
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
120 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
240 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2V @ 15V，80A
功率 - 最大值
469 W
开关能量
2.1mJ（开），1.5mJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
414 nC
25°C 时 Td（开/关）值
84ns/280ns
测试条件
400V，80A，10 欧姆，15V
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-4
供应商器件封装
TO-247-4
基本产品编号
STGW80
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/STMicroelectronics STGW80H65FB-4
相关文档
规格书
1(STGW80H65FB-4)
PCN 组装/来源
1(IGBT Capacity Ext 19/Oct/2018)
HTML 规格书
1(STGW80H65FB-4)
价格
-
替代型号
-