元器件型号详细信息

原厂型号
DMT8012LK3-13
摘要
MOSFET N-CH 80V 44A TO252
详情
表面贴装型 N 通道 80 V 44A(Tc) 2.7W(Ta) TO-252-3
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
20 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500

技术参数

制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
44A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
17 毫欧 @ 12A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
34 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1949 pF @ 40 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2.7W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-252-3
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
基本产品编号
DMT8012

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

DMT8012LK3-13DITR
DMT8012LK3-13DICT
DMT8012LK3-13DIDKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Diodes Incorporated DMT8012LK3-13

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规格书
1(DMT8012LK3)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Site Chg 6/Aug/2020)

价格

数量: 25000
单价: $2.88653
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
数量: 12500
单价: $2.91691
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
数量: 5000
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包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
数量: 2500
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