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20250509
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元器件资讯
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SIHG052N60EF-GE3
元器件型号详细信息
原厂型号
SIHG052N60EF-GE3
摘要
MOSFET N-CH 600V 48A TO247AC
详情
通孔 N 通道 600 V 48A(Tc) 278W(Tc) TO-247AC
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
69 周
EDA/CAD 模型
标准包装
500
供应商库存
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技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
EF
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
48A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
52 毫欧 @ 23A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
101 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
3380 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
278W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247AC
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
SIHG052
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
742-SIHG052N60EF-GE3
742-SIHG052N60EF-GE3TR
742-SIHG052N60EF-GE3TR-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Vishay Siliconix SIHG052N60EF-GE3
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规格书
1(SIHG052N60EF)
特色产品
1(MOSFETs in 5G)
PCN 组装/来源
1(Mosfet Mfg Add 28/Sep/2020)
HTML 规格书
1(SIHG052N60EF)
价格
数量: 2000
单价: $29.27649
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $30.40255
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $34.90662
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $40.0866
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $48.421
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $53.58
包装: 管件
最小包装数量: 1
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