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GermanyBAS21-E3-08
元器件型号详细信息
原厂型号
BAS21-E3-08
摘要
DIODE GP 200V 200MA SOT23-3
详情
二极管 200 V 200mA 表面贴装型 SOT-23-3
原厂/品牌
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
原厂到货时间
30 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
系列
-
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
技术
标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）
200 V
电流 - 平均整流 (Io)
200mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.25 V @ 200 mA
速度
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间 (trr)
50 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
100 nA @ 200 V
不同 Vr、F 时电容
5pF @ 0V，1MHz
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装
SOT-23-3
工作温度 - 结
-55°C ~ 150°C
基本产品编号
BAS21
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0070
其它名称
BAS21-V-GS08TR-ND
BAS21VGS08
BAS21-V-GS08TR
BAS21-V-GS08DKR-ND
BAS21-E3-08CT
BAS21-E3-08DKR
BAS21-V-GS08
BAS21-V-GS08CT
BAS21-V-GS08DKR
BAS21-E3-08TR
BAS21-V-GS08CT-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/二极管/整流器/单二极管/Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAS21-E3-08
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包装: 卷带（TR）
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替代型号
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制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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型号 : BAS21-HE3-08
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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型号 : BAS21LT3G
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单价. : ¥1.35000
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型号 : SBAS21LT3G
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库存 : 59,040
单价. : ¥2.78000
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型号 : BAS20LT1G
制造商 : onsemi
库存 : 44,618
单价. : ¥1.03000
替代类型. : 参数等效
库存 : 44,618
单价. : ¥1.03000
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