English
Spain
Rusia
Italy
GermanyBSZ105N04NSGATMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
BSZ105N04NSGATMA1
摘要
MOSFET N-CH 40V 11A/40A 8TSDSON
详情
表面贴装型 N 通道 40 V 11A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），35W（Tc） PG-TSDSON-8
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
5,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
11A（Ta），40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
10.5 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 14µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
17 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1300 pF @ 20 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.1W（Ta），35W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TSDSON-8
封装/外壳
8-PowerTDFN
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2156-BSZ105N04NSGATMA1
BSZ105N04NSGINTR-ND
BSZ105N04NSGINCT-ND
BSZ105N04NS G
BSZ105N04NSG
BSZ105N04NSGINCT
BSZ105N04NSGATMA1TR
BSZ105N04NSGXT
BSZ105N04NSGINDKR-ND
IFEINFBSZ105N04NSGATMA1
BSZ105N04NSGATMA1CT
BSZ105N04NSGINDKR
BSZ105N04NSGINTR
BSZ105N04NSGATMA1DKR
SP000388301
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies BSZ105N04NSGATMA1
相关文档
规格书
1(BSZ105N04NSG)
其他相关文档
1(Part Number Guide)
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Devices EOL 08/May/2019)
PCN 组装/来源
1(OptiMOS Assembly Site Add 2/Jan/2018)
PCN 封装
()
PCN 其他
1(Multiple Changes 09/Jul/2014)
HTML 规格书
1(BSZ105N04NSG)
仿真模型
1(MOSFET OptiMOS™ 40V N-Channel Spice Model)
价格
-
替代型号
型号 : BSC054N04NSGATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 43,455
单价. : ¥7.87000
替代类型. : 直接
库存 : 43,455
单价. : ¥7.87000
替代类型. : 直接
型号 : DMNH4011SPS-13
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 0
单价. : ¥2.92305
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥2.92305
替代类型. : 类似