English
Spain
Rusia
Italy
GermanyPMDPB65UP,115
元器件型号详细信息
原厂型号
PMDPB65UP,115
摘要
MOSFET 2P-CH 20V 3.5A SOT1118
详情
MOSFET - 阵列 20V 3.5A 520mW 表面贴装型 6-HUSON（2x2）
原厂/品牌
NXP USA Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
NXP USA Inc.
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 个 P 沟道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
70 毫欧 @ 1A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
380pF @ 10V
功率 - 最大值
520mW
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘
供应商器件封装
6-HUSON（2x2）
基本产品编号
PMDPB
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
NEXNXPPMDPB65UP,115
568-6496-6
2156-PMDPB65UP115-NXTR
934064008115
PMDPB65UP115
PMDPB65UP,115-ND
954-PMDPB65UP115
568-6496-2
568-6496-1
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/NXP USA Inc. PMDPB65UP,115
相关文档
规格书
1(PMDPB65UP)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
()
PCN 封装
1(All Dev Label Update 15/Dec/2020)
价格
-
替代型号
型号 : PMDPB58UPE,115
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 6,320
单价. : ¥3.42000
替代类型. : 直接
库存 : 6,320
单价. : ¥3.42000
替代类型. : 直接
型号 : DMP2160UFDB-7
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 195,104
单价. : ¥3.82000
替代类型. : 类似
库存 : 195,104
单价. : ¥3.82000
替代类型. : 类似
型号 : FDMA1023PZ
制造商 : onsemi
库存 : 1,905
单价. : ¥7.55000
替代类型. : 类似
库存 : 1,905
单价. : ¥7.55000
替代类型. : 类似
型号 : FDMA6023PZT
制造商 : onsemi
库存 : 8,220
单价. : ¥6.52000
替代类型. : 类似
库存 : 8,220
单价. : ¥6.52000
替代类型. : 类似
型号 : DMP2160UFDBQ-7
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 109,858
单价. : ¥4.61000
替代类型. : 类似
库存 : 109,858
单价. : ¥4.61000
替代类型. : 类似