English
Spain
Rusia
Italy
Germany1N821AE3/TR
元器件型号详细信息
原厂型号
1N821AE3/TR
摘要
DIODE ZENER TEMP COMPENSATED
详情
二极管 - 齐纳 6.2 V 500 mW ±5% 通孔 DO-35（DO-204AH）
原厂/品牌
Microchip Technology
原厂到货时间
30 周
EDA/CAD 模型
标准包装
1
供应商库存
技术参数
制造商
Microchip Technology
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
电压 - 齐纳（标称值）(Vz)
6.2 V
容差
±5%
功率 - 最大值
500 mW
阻抗（最大值）(Zzt)
10 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
2 µA @ 3 V
工作温度
-65°C ~ 175°C
安装类型
通孔
封装/外壳
DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装
DO-35（DO-204AH）
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0050
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/二极管/齐纳/单齐纳二极管/Microchip Technology 1N821AE3/TR
相关文档
环保信息
()
价格
数量: 208
单价: $36.60784
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 208
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 208
替代型号
型号 : BZX55B6V2-TR
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 24,474
单价. : ¥1.75000
替代类型. : 参数等效
库存 : 24,474
单价. : ¥1.75000
替代类型. : 参数等效
型号 : BZX55B6V2-TAP
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 92,473
单价. : ¥1.75000
替代类型. : 参数等效
库存 : 92,473
单价. : ¥1.75000
替代类型. : 参数等效
型号 : BZX55C6V2-TAP
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 52,756
单价. : ¥1.83000
替代类型. : 参数等效
库存 : 52,756
单价. : ¥1.83000
替代类型. : 参数等效
型号 : BZX55C6V2-TR
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 133,602
单价. : ¥1.51000
替代类型. : 参数等效
库存 : 133,602
单价. : ¥1.51000
替代类型. : 参数等效