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GermanyBSP716NH6327XTSA1
元器件型号详细信息
原厂型号
BSP716NH6327XTSA1
摘要
MOSFET N-CH 75V 2.3A SOT223-4
详情
表面贴装型 N 通道 75 V 2.3A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
75 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
160 毫欧 @ 2.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.8V @ 218µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
13.1 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
315 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.8W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-SOT223-4
封装/外壳
TO-261-4，TO-261AA
基本产品编号
BSP716
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
ROCINFBSP716NH6327XTSA1
SP001087514
BSP716NH6327XTSA1-ND
BSP716NH6327XTSA1TR
BSP716NH6327XTSA1CT
2156-BSP716NH6327XTSA1
BSP716NH6327XTSA1DKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies BSP716NH6327XTSA1
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()
HTML 规格书
1(BSP716N)
仿真模型
1(MOSFET OptiMOS™ 75V N-Channel Spice Model)
价格
-
替代型号
型号 : FDT86106LZ
制造商 : onsemi
库存 : 5,633
单价. : ¥11.37000
替代类型. : 类似
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