最后更新
20250425
Language
简体中文
English
Spain
Rusia
Italy
Germany
元器件资讯
库存查询
DMN2026UVT-13
元器件型号详细信息
原厂型号
DMN2026UVT-13
摘要
MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
详情
表面贴装型 N 通道 20 V 6.2A(Tc) 1.15W(Ta) TSOT-23-6
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
14 周
EDA/CAD 模型
标准包装
10,000
供应商库存
>>>点击查询实时库存<<<
技术参数
制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6.2A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
24 毫欧 @ 6.2A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
18.4 nC @ 8 V
Vgs(最大值)
±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
887 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1.15W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TSOT-23-6
封装/外壳
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
基本产品编号
DMN2026
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Diodes Incorporated DMN2026UVT-13
相关文档
规格书
1(DMN2026UVT)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021)
HTML 规格书
1(DMN2026UVT)
价格
数量: 50000
单价: $0.86439
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 10000
数量: 30000
单价: $0.89816
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 10000
数量: 10000
单价: $0.97919
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 10000
替代型号
-
相似型号
310-051
SIT3372AI-4B9-25NH90.000000
TMM-120-01-T-D-RA-003
1825J1K00330KCR
C326C119BAG5TA