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GermanyIRF9Z34NSTRRPBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRF9Z34NSTRRPBF
摘要
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
详情
表面贴装型 P 通道 55 V 19A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） D2PAK
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
800
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
19A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
100 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
35 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
620 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.8W（Ta），68W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D2PAK
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
IRF9Z34
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
448-IRF9Z34NSTRRPBFCT
SP001551716
448-IRF9Z34NSTRRPBFTR
448-IRF9Z34NSTRRPBFDKR
IRF9Z34NSTRRPBF-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRF9Z34NSTRRPBF
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PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Wafer Site Chg 18/Dec/2020)
PCN 封装
1(Package Drawing Update 19/Aug/2015)
HTML 规格书
1(IRF9Z34NS/L)
价格
-
替代型号
型号 : IRF9Z34NSTRLPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 11,158
单价. : ¥13.28000
替代类型. : 参数等效
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单价. : ¥13.28000
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制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 6,489
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型号 : IRF9Z34STRRPBF
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 408
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型号 : IRF9Z34SPBF
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 2,483
单价. : ¥15.90000
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库存 : 2,483
单价. : ¥15.90000
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