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GermanyIPD80N04S306ATMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IPD80N04S306ATMA1
摘要
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
详情
表面贴装型 N 通道 40 V 90A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3-11
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.2 毫欧 @ 80A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 52µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
47 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3250 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
100W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO252-3-11
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
IPD80N04
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IPD80N04S3-06TR-ND
IPD80N04S3-06-ND
SP000261220
IFEINFIPD80N04S306ATMA1
IPD80N04S3-06
IPD80N04S306
IPD80N04S306ATMA1CT
IPD80N04S3-06TR
IPD80N04S306ATMA1TR
IPD80N04S3-06DKR-ND
IPD80N04S3-06DKR
IPD80N04S3-06CT
IPD80N04S3-06CT-ND
IPD80N04S306ATMA1DKR
2156-IPD80N04S306ATMA1
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPD80N04S306ATMA1
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1(IPD80N04S3-06)
仿真模型
1(OptiMOS-T-40V-Spice Model)
价格
数量: 5000
单价: $6.92115
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
数量: 2500
单价: $7.18735
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
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