元器件型号详细信息

原厂型号
DMT10H025SSS-13
摘要
MOSFET N-CH 100V 7.4A 8SO
详情
表面贴装型 N 通道 100 V 7.4A(Ta) 1.4W(Ta) 8-SO
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
25 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500

技术参数

制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带(TR)
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7.4A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
23 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
21.4 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1544 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1.4W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SO
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
基本产品编号
DMT10

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3(168 小时)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

DMT10H025SSS-13DIDKR
DMT10H025SSS-13DICT
DMT10H025SSS-13DITR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Diodes Incorporated DMT10H025SSS-13

相关文档

规格书
1(DMT10H025SSS)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Assembly/Materials 25/Mar/2019)
仿真模型
1(DMT10H025SSS Spice Models)

价格

数量: 25000
单价: $1.61774
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
数量: 12500
单价: $1.68245
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
数量: 5000
单价: $1.74716
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
数量: 2500
单价: $1.87658
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
数量: 1000
单价: $2.07071
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $2.58838
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $3.2744
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $4.269
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $4.85
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最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 500
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最小包装数量: 1
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单价: $4.85
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

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