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GermanyIPP50R190CEXKSA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IPP50R190CEXKSA1
摘要
MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220-3
详情
通孔 N 通道 500 V 18.5A（Tc） 127W（Tc） PG-TO220-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™ CE
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
18.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
13V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
190 毫欧 @ 6.2A，13V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 510µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
47.2 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1137 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
127W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
IPP50R190
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IPP50R190CE-ND
-IPP50R190CE
SP000850802
IPP50R190CE
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPP50R190CEXKSA1
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规格书
1(IPx50R190CE)
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特色产品
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PCN 组装/来源
1(Mult Dev Assembly Chgs 2/Feb/2021)
HTML 规格书
1(IPx50R190CE)
仿真模型
1(CoolMOS™ Power MOSFET 500V C3 Spice Model)
价格
数量: 5000
单价: $8.28738
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 2000
单价: $8.60613
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $9.24359
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $11.1561
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $13.5784
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $16.894
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $18.84
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
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