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GermanyIPT111N20NFDATMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IPT111N20NFDATMA1
摘要
MOSFET N-CH 200V 96A 8HSOF
详情
表面贴装型 N 通道 200 V 96A（Tc） 375W（Tc） PG-HSOF-8-1
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
40 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
96A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
11.1 毫欧 @ 96A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 267µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
87 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
7000 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-HSOF-8-1
封装/外壳
8-PowerSFN
基本产品编号
IPT111
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IPT111N20NFDATMA1TR
IPT111N20NFDATMA1DKR
IPT111N20NFDATMA1CT
SP001340384
IPT111N20NFDATMA1-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPT111N20NFDATMA1
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HTML 规格书
1(IPT111N20NFD)
价格
数量: 2000
单价: $40.06743
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2000
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最小包装数量: 2000
数量: 1000
单价: $41.60852
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 500
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
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替代型号
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