元器件型号详细信息

原厂型号
IPT111N20NFDATMA1
摘要
MOSFET N-CH 200V 96A 8HSOF
详情
表面贴装型 N 通道 200 V 96A(Tc) 375W(Tc) PG-HSOF-8-1
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
40 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,000

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
96A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
11.1 毫欧 @ 96A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 267µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
87 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
7000 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
375W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-HSOF-8-1
封装/外壳
8-PowerSFN
基本产品编号
IPT111

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

IPT111N20NFDATMA1TR
IPT111N20NFDATMA1DKR
IPT111N20NFDATMA1CT
SP001340384
IPT111N20NFDATMA1-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies IPT111N20NFDATMA1

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HTML 规格书
1(IPT111N20NFD)

价格

数量: 2000
单价: $40.06743
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2000
数量: 1000
单价: $41.60852
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $47.77272
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $54.8615
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $66.262
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $73.38
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $41.60852
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1

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