FCHD190N65S3R0-F155

元器件型号详细信息

原厂型号

FCHD190N65S3R0-F155

摘要

MOSFET N-CH 650V 17A TO247

详情

通孔 N 通道 650 V 17A（Tc） 144W（Tc） TO-247-3

原厂/品牌

onsemi

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

30

供应商库存

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技术参数

制造商

onsemi

系列

SuperFET® III

包装

管件

Product Status

最后售卖

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

17A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

190 毫欧 @ 8.5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 390µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

33 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

1350 pF @ 400 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

144W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-247-3

封装/外壳

TO-247-3

基本产品编号

FCHD190

其它名称

FCHD190N65S3R0-F155OS

FCHD190N65S3R0-F155-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FCHD190N65S3R0-F155

价格

数量: 2000

单价: $24.95423
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $26.26757
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $31.14584
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $36.5872
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $44.653
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $49.68
包装: 管件
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : IPW60R180C7XKSA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥35.61000
替代类型. : 类似

型号 : SIHG25N60EFL-GE3

制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 0
单价. : ¥41.26000
替代类型. : 类似

型号 : IXFX44N80Q3

制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥254.72430
替代类型. : 类似

型号 : STW24N60M2

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 590
单价. : ¥26.87000
替代类型. : 类似

型号 : IPW65R190C7XKSA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥38.48000
替代类型. : 类似

型号 : SCT3120ALGC11

制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 2,941
单价. : ¥72.74000
替代类型. : 类似

型号 : IXKH20N60C5

制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 类似

型号 : TK20N60W,S1VF

制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 0
单价. : ¥51.12000
替代类型. : 类似

型号 : TK17N65W,S1F

制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 0
单价. : ¥30.69000
替代类型. : 类似

3EZ62DE3/TR8 M55342E12B16B9TTP MPLAD7.5KP28A CFR-25JR-52-300R M1623-D-4007-S

FCHD190N65S3R0-F155

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