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GermanyNTLJD3115PT1G
元器件型号详细信息
原厂型号
NTLJD3115PT1G
摘要
MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
详情
MOSFET - 阵列 20V 2.3A 710mW 表面贴装型 6-WDFN（2x2）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 个 P 沟道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.3A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
100 毫欧 @ 2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
531pF @ 10V
功率 - 最大值
710mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装
6-WDFN（2x2）
基本产品编号
NTLJD3115
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
NTLJD3115PT1GOSCT
NTLJD3115PT1GOSTR
NTLJD3115PT1G-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/onsemi NTLJD3115PT1G
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规格书
1(NTLJD3115P)
环保信息
()
PCN 封装
1(Covering Tape/Material Chg 20/May/2016)
HTML 规格书
1(NTLJD3115P)
价格
数量: 30000
单价: $1.83765
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
数量: 15000
单价: $1.90398
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
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最小包装数量: 3000
数量: 6000
单价: $1.97721
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
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最小包装数量: 3000
数量: 3000
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包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
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最小包装数量: 3000
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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替代型号
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