元器件型号详细信息

原厂型号
PEMD18,115
摘要
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666
详情
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 50V 100mA 300mW 表面贴装型 SOT-666
原厂/品牌
Nexperia USA Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
4,000

技术参数

制造商
Nexperia USA Inc.
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
晶体管类型
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
电阻器 - 基极 (R1)
4.7 千欧
电阻器 - 发射极 (R2)
10 千欧
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
50 @ 10mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
100mV @ 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值)
1µA
频率 - 跃迁
-
功率 - 最大值
300mW
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-563,SOT-666
供应商器件封装
SOT-666
基本产品编号
PEMD18

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

其它名称

934058923115
2156-PEMD18,115-NEX
PEMD18 T/R
NEXNXPPEMD18,115
PEMD18 T/R-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极(BJT)/双极晶体管阵列,预偏置/Nexperia USA Inc. PEMD18,115

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规格书
1(PUMD18,115 Datasheet)
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PCN 封装
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HTML 规格书
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价格

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替代型号

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