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GermanyFDS6675BZ
元器件型号详细信息
原厂型号
FDS6675BZ
摘要
MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
详情
表面贴装型 P 通道 30 V 11A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOIC
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
57 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
PowerTrench®
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
11A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
13 毫欧 @ 11A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
62 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2470 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SOIC
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
基本产品编号
FDS6675
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
FAIFSCFDS6675BZ
FDS6675BZCT
FDS6675BZDKR
FDS6675BZTR
2156-FDS6675BZ-OS
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FDS6675BZ
相关文档
规格书
1(FDS6675BZ Datasheet)
视频文件
1(Brushless DC Motor Control | Datasheet Preview)
环保信息
()
特色产品
1(ON Semiconductor - 30 V to 60 V Trench6 N-Channel MOSFET)
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014)
PCN 封装
()
EDA 模型
1(FDS6675BZ by Ultra Librarian)
价格
数量: 25000
单价: $2.52376
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
数量: 12500
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包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
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包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
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包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
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最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
替代型号
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型号 : PJQ5411_R2_00001
制造商 : Panjit International Inc.
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型号 : RRH090P03GZETB
制造商 : Rohm Semiconductor
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型号 : IRF7424TRPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 25,195
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型号 : SI4825DDY-T1-GE3
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 128
单价. : ¥7.47000
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单价. : ¥7.47000
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