元器件型号详细信息

原厂型号
IXFA10N80P
摘要
MOSFET N-CH 800V 10A TO263
详情
表面贴装型 N 通道 800 V 10A(Tc) 300W(Tc) TO-263AA(IXFA)
原厂/品牌
IXYS
原厂到货时间
73 周
EDA/CAD 模型
标准包装
50

技术参数

制造商
IXYS
系列
HiPerFET™, Polar
包装
管件
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.1 欧姆 @ 5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5.5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
40 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2050 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
300W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-263AA(IXFA)
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
基本产品编号
IXFA10

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
加利福尼亚 65 号提案

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/IXYS IXFA10N80P

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规格书
1(IXF(A,P,Q,H)10N80P)
环保信息
1(Ixys IC REACH)
HTML 规格书
1(IXF(A,P,Q,H)10N80P)

价格

数量: 2000
单价: $18.67954
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $19.66266
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
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数量: 1
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包装: 管件
最小包装数量: 1

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