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GermanyFQT4N20LTF
元器件型号详细信息
原厂型号
FQT4N20LTF
摘要
MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4
详情
表面贴装型 N 通道 200 V 850mA（Tc） 2.2W（Tc） SOT-223-4
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
4,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
QFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
850mA（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.35 欧姆 @ 425mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5.2 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
310 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.2W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-223-4
封装/外壳
TO-261-4，TO-261AA
基本产品编号
FQT4N20
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
FQT4N20LTFDKR
FAIFSCFQT4N20LTF
FQT4N20LTF-ND
FQT4N20LTFTR
FQT4N20LTFCT
2156-FQT4N20LTF-OS
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FQT4N20LTF
相关文档
规格书
1(FQT4N20L)
环保信息
()
PCN 设计/规格
1(Logo 17/Aug/2017)
PCN 组装/来源
1(Wafer Fab Change 27/Dec/2022)
PCN 封装
1(Mult Devices 24/Oct/2017)
EDA 模型
1(FQT4N20LTF by SnapEDA)
价格
数量: 4000
单价: $1.98803
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 4000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 4000
数量: 2000
单价: $1.98803
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最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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替代型号
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