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元器件型号详细信息
原厂型号
STB28NM50N
摘要
MOSFET N-CH 500V 21A D2PAK
详情
表面贴装型 N 通道 500 V 21A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
STMicroelectronics
系列
MDmesh™ II
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
21A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
158 毫欧 @ 10.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
50 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1735 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
150W（Tc）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D2PAK
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
STB28
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-497-10704-6-ND
497-10704-6
497-10704-2
497-10704-2-ND
497-10704-1
497-10704-6-ND
-1138-STB28NM50NCT
497-10704-1-ND
-1138-STB28NM50NDKR
-497-10704-1-ND
497-STB28NM50NTR
-497-10704-2-ND
497-STB28NM50NCT
-497-10704-1
-497-10704-2
-1138-STB28NM50NTR
-497-10704-6
497-STB28NM50NDKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/STMicroelectronics STB28NM50N
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价格
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