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元器件型号详细信息
原厂型号
A2T18H455W23NR6
摘要
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
详情
RF Mosfet 31.5 V 1.08 A 1.805GHz ~ 1.88GHz 14.5dB 56dBm OM-1230-4L2S
原厂/品牌
NXP USA Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
150
供应商库存
技术参数
制造商
NXP USA Inc.
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
技术
LDMOS
频率
1.805GHz ~ 1.88GHz
增益
14.5dB
电压 - 测试
31.5 V
额定电流（安培）
10µA
噪声系数
-
电流 - 测试
1.08 A
功率 - 输出
56dBm
电压 - 额定
65 V
安装类型
底座安装
封装/外壳
OM-1230-4L2S
供应商器件封装
OM-1230-4L2S
基本产品编号
A2T18
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/RF FET，MOSFET/NXP USA Inc. A2T18H455W23NR6
相关文档
规格书
1(A2T18H455W23NR6)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 18/Apr/2020)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(A2T18H455W23NR6)
价格
-
替代型号
型号 : A3T18H455W23SR6
制造商 : NXP USA Inc.
库存 : 0
单价. : ¥779.23673
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥779.23673
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