元器件型号详细信息

原厂型号
SSM3J09FU,LF
摘要
MOSFET P-CH 30V 200MA USM
详情
表面贴装型 P 通道 30 V 200mA(Ta) 150mW(Ta) USM
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
40 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
卷带(TR)
Product Status
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
3.3V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.7 欧姆 @ 100mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.8V @ 100µA
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
22 pF @ 5 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
150mW(Ta)
工作温度
150°C
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
USM
封装/外壳
SC-70,SOT-323
基本产品编号
SSM3J09

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

其它名称

SSM3J09FU,LF(B
SSM3J09FULFCT
SSM3J09FULFDKR
SSM3J09FULFTR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J09FU,LF

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规格书
1(SSM3J09FU)
特色产品
1(Server Solutions)

价格

数量: 150000
单价: $0.5075
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 75000
单价: $0.52086
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 30000
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包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 15000
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最小包装数量: 3000
数量: 6000
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包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 3000
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包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 1000
单价: $0.80132
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数量: 500
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包装: 剪切带(CT)
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替代型号

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