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GermanyBYG21MHE3_A/H
元器件型号详细信息
原厂型号
BYG21MHE3_A/H
摘要
DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
详情
二极管 1000 V 1.5A 表面贴装型 DO-214AC（SMA）
原厂/品牌
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
原厂到货时间
10 周
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
技术
雪崩
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）
1000 V
电流 - 平均整流 (Io)
1.5A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.6 V @ 1.5 A
速度
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr)
120 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
1 µA @ 1000 V
不同 Vr、F 时电容
-
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
DO-214AC，SMA
供应商器件封装
DO-214AC（SMA）
工作温度 - 结
-55°C ~ 150°C
基本产品编号
BYG21
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/二极管/整流器/单二极管/Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYG21MHE3_A/H
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规格书
1(BYG21K & BYG21M)
PCN 组装/来源
1(Assembly Site 26/Aug/2021)
HTML 规格书
1(BYG21K & BYG21M)
价格
数量: 7200
单价: $1.13596
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 7200
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 7200
替代型号
型号 : BYG21M-E3/TR
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 171,000
单价. : ¥3.10000
替代类型. : 参数等效
库存 : 171,000
单价. : ¥3.10000
替代类型. : 参数等效
型号 : BYG21M-E3/TR3
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 72,655
单价. : ¥3.26000
替代类型. : 参数等效
库存 : 72,655
单价. : ¥3.26000
替代类型. : 参数等效
型号 : BYG21M R3G
制造商 : Taiwan Semiconductor Corporation
库存 : 237
单价. : ¥5.41000
替代类型. : 参数等效
库存 : 237
单价. : ¥5.41000
替代类型. : 参数等效
型号 : BYG21MHR3G
制造商 : Taiwan Semiconductor Corporation
库存 : 2,226
单价. : ¥3.50000
替代类型. : 参数等效
库存 : 2,226
单价. : ¥3.50000
替代类型. : 参数等效