元器件型号详细信息

原厂型号
HN1C01FYTE85LF
摘要
TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6
详情
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 2 NPN(双) 50V 150mA 80MHz 300mW 表面贴装型 SM6
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
晶体管类型
2 NPN(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
150mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
250mV @ 10mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值)
100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
120 @ 2mA,6V
功率 - 最大值
300mW
频率 - 跃迁
80MHz
工作温度
125°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SC-74,SOT-457
供应商器件封装
SM6
基本产品编号
HN1C01

相关信息

RoHS 状态
符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

其它名称

HN1C01FYTE85LFTR
HN1C01F-Y (TE85L,F)
HN1C01FYTE85LFCT
HN1C01F-Y(TE85L,F)
HN1C01FYTE85LFDKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极(BJT)/双极晶体管阵列/Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FYTE85LF

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规格书
1(HN1C01F)

价格

数量: 75000
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包装: 卷带(TR)
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数量: 30000
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包装: 卷带(TR)
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包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 3000
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包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 1000
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包装: 剪切带(CT)
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最小包装数量: 1

替代型号

型号 : IMX1T110
制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 69,993
单价. : ¥3.42000
替代类型. : 类似