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元器件型号详细信息
原厂型号
FF600R12ME4AB11BOSA1
摘要
IGBT MODULE 1200V 3350W
详情
IGBT 模块 沟槽型场截止 2 个独立式 1200 V 3350 W 底座安装 模块
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
6
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
EconoDUAL™ 3
包装
散装
产品状态
allaboutcomponents.com 停止提供
IGBT 类型
沟槽型场截止
配置
2 个独立式
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200 V
功率 - 最大值
3350 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.1V @ 15V，600A
电流 - 集电极截止（最大值）
3 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
37 nF @ 25 V
输入
标准
NTC 热敏电阻
是
工作温度
-40°C ~ 150°C
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
模块
基本产品编号
FF600R12
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
FF600R12ME4A_B11-ND
FF600R12ME4A_B11
SP001121234
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/IGBT 模块/Infineon Technologies FF600R12ME4AB11BOSA1
相关文档
规格书
1(FF600R12ME4A_B11)
PCN 产品变更/停产
1(FF600R12 EOL 12/Dec/2022)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Wafer Add 21/Sep/2020)
HTML 规格书
1(FF600R12ME4A_B11)
价格
数量: 1
单价: $3109.68
包装: 散装
最小包装数量: 1
包装: 散装
最小包装数量: 1
替代型号
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