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GermanyFS100R07N2E4B11BOSA1
元器件型号详细信息
原厂型号
FS100R07N2E4B11BOSA1
摘要
IGBT MOD 650V 125A 20MW
详情
IGBT 模块 沟槽型场截止 三相反相器 650 V 125 A 20 mW 底座安装 模块
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
10
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
EconoPACK™ 2
包装
散装
产品状态
allaboutcomponents.com 停止提供
IGBT 类型
沟槽型场截止
配置
三相反相器
电压 - 集射极击穿（最大值）
650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
125 A
功率 - 最大值
20 mW
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
1.95V @ 15V，100A
电流 - 集电极截止（最大值）
1 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
6.2 nF @ 25 V
输入
标准
NTC 热敏电阻
是
工作温度
-40°C ~ 150°C
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
模块
基本产品编号
FS100R07
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
FS100R07N2E4_B11-ND
FS100R07N2E4_B11
SP000843918
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/IGBT 模块/Infineon Technologies FS100R07N2E4B11BOSA1
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规格书
1(FS100R07N2E4_B11)
HTML 规格书
1(FS100R07N2E4_B11)
价格
-
替代型号
-