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GermanyZXMN10A25K
元器件型号详细信息
原厂型号
ZXMN10A25K
摘要
MOSFET N-CH 100V 4.2A TO252-3
详情
表面贴装型 N 通道 100 V 4.2A（Ta） 2.11W（Ta） TO-252-3
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
125 毫欧 @ 2.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
17.16 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
859 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.11W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-252-3
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
ZXMN10A25KDKR
ZXMN10A25KTR
981-ZXMN10A25K
ZXMN10A25KCT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Diodes Incorporated ZXMN10A25K
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规格书
1(ZXMN10A25K)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
HTML 规格书
1(ZXMN10A25K)
价格
-
替代型号
型号 : ZXMN10A25KTC
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 0
单价. : ¥10.97000
替代类型. : 参数等效
库存 : 0
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制造商 : Nexperia USA Inc.
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库存 : 62,204
单价. : ¥10.57000
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