IPD135N08N3GBTMA1

元器件型号详细信息

原厂型号

IPD135N08N3GBTMA1

摘要

MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3

详情

表面贴装型 N 通道 80 V 45A（Tc） 79W（Tc） PG-TO252-3

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

2,500

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包装

卷带（TR）

Product Status

停产

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

80 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

45A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

6V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

13.5 毫欧 @ 45A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 33µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

25 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

1730 pF @ 40 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

79W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO252-3

封装/外壳

TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

基本产品编号

IPD135N

其它名称

SP000454266

IPD135N08N3GBTMA1TR

IPD135N08N3 G

IPD135N08N3 G-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPD135N08N3GBTMA1

价格

-

替代型号

型号 : IRFR2607ZTRPBF

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 3,944
单价. : ¥12.32000
替代类型. : 类似

型号 : IRFR2307ZTRLPBF

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 2,444
单价. : ¥13.12000
替代类型. : 类似

型号 : IPD135N08N3GATMA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 2,500
单价. : ¥10.10000
替代类型. : 参数等效

型号 : BUK9226-75A,118

制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 7,478
单价. : ¥13.36000
替代类型. : 类似

型号 : SUD40N08-16-E3

制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 2,361
单价. : ¥24.25000
替代类型. : 类似

型号 : FDD16AN08A0

制造商 : onsemi
库存 : 15,206
单价. : ¥15.10000
替代类型. : 类似

型号 : AOD2816

制造商 : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
库存 : 0
单价. : ¥3.08520
替代类型. : 类似

型号 : STD80N10F7

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 3,077
单价. : ¥17.17000
替代类型. : 类似

型号 : STD40NF10

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥13.75000
替代类型. : 类似

76200-034 C3216C0G2J221J060AA RNC55J33R2FPBSL EL2M242G00 MTSW-115-08-F-D-229-RA

IPD135N08N3GBTMA1

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