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GermanyNTR1P02T1G
元器件型号详细信息
原厂型号
NTR1P02T1G
摘要
MOSFET P-CH 20V 1A SOT23-3
详情
表面贴装型 P 通道 20 V 1A（Ta） 400mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
180 毫欧 @ 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.5 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
165 pF @ 5 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
400mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本产品编号
NTR1P02
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
NTR1P02T1GOSTR
NTR1P02T1GOSCT
NTR1P02T1GOSDKR
2156-NTR1P02T1G-OS
NTR1P02T1GOS
NTR1P02T1GOS-ND
ONSONSNTR1P02T1G
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi NTR1P02T1G
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规格书
1(N(T,V)R1P02)
环保信息
()
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Mold Compound 07/Sep/2019)
HTML 规格书
1(N(T,V)R1P02)
EDA 模型
1(NTR1P02T1G by Ultra Librarian)
价格
数量: 75000
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