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GermanyCAB530M12BM3
元器件型号详细信息
原厂型号
CAB530M12BM3
摘要
1200V, 530A H-BRIDGE SIC MODULE
详情
MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV） 530A 底座安装 模块
原厂/品牌
Wolfspeed, Inc.
原厂到货时间
90 周
EDA/CAD 模型
标准包装
1
供应商库存
技术参数
制造商
Wolfspeed, Inc.
系列
-
包装
托盘
产品状态
在售
技术
碳化硅（SiC）
配置
2 个 N 沟道
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
1200V（1.2kV）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
530A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.55 欧姆 @ 530A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.6V @ 140mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1362nC @ 4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
39600pF @ 800V
功率 - 最大值
-
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
模块
基本产品编号
CAB530
相关信息
RoHS 状态
不符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-3312-CAB530M12BM3
1697-CAB530M12BM3
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Wolfspeed, Inc. CAB530M12BM3
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规格书
1(CAB530M12BM3)
HTML 规格书
1(CAB530M12BM3)
价格
数量: 10
单价: $7329.676
包装: 托盘
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $7445.1
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最小包装数量: 1
包装: 托盘
最小包装数量: 1
替代型号
-