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GermanyPMGD290XN,115
元器件型号详细信息
原厂型号
PMGD290XN,115
摘要
MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
详情
MOSFET - 阵列 20V 860mA 410mW 表面贴装型 6-TSSOP
原厂/品牌
Nexperia USA Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Nexperia USA Inc.
系列
TrenchMOS™
包装
卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
860mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
350 毫欧 @ 200mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.72nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
34pF @ 20V
功率 - 最大值
410mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装
6-TSSOP
基本产品编号
PMGD290
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
568-2366-1-ND
568-2366-1
568-2366-2
1727-3126-6
934057731115
1727-3126-2
PMGD290XN115
568-2366-2-ND
PMGD290XN T/R
1727-3126-1
568-2366-6-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Nexperia USA Inc. PMGD290XN,115
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价格
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