IPD80R2K8CEATMA1

元器件型号详细信息

原厂型号

IPD80R2K8CEATMA1

摘要

MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3

详情

表面贴装型 N 通道 800 V 1.9A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

39 周

EDA/CAD 模型

标准包装

2,500

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

CoolMOS™ CE

包装

卷带（TR）

产品状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

800 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

1.9A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

2.8 欧姆 @ 1.1A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.9V @ 120µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

12 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

290 pF @ 100 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

42W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO252-3

封装/外壳

TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

基本产品编号

IPD80R2

其它名称

INFINFIPD80R2K8CEATMA1

SP001130970

IPD80R2K8CEATMA1-ND

2156-IPD80R2K8CEATMA1

IPD80R2K8CEATMA1CT

IPD80R2K8CEATMA1DKR

IPD80R2K8CEATMA1TR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPD80R2K8CEATMA1

价格

数量: 12500

单价: $3.71064
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500

数量: 5000

单价: $3.85558
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500

数量: 2500

单价: $4.05852
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500

数量: 1000

单价: $4.34842
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $5.50794
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $6.6673
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $8.554
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $9.54
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $4.34842
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $5.50794
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $6.6673
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $8.554
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $9.54
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : STD3NK60ZT4

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 173
单价. : ¥10.41000
替代类型. : 类似

RN73H2ATTD1052A05 GW SBLMA2.EM-HQHR-XX55-L1L2-65-R18-LM LFA30F-3R3-J1Y RLR20C1621FSB14 DTS20F17-99AE

IPD80R2K8CEATMA1

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