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GermanyDMG3415UFY4-7
元器件型号详细信息
原厂型号
DMG3415UFY4-7
摘要
MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN2015H4-3
详情
表面贴装型 P 通道 16 V 2.5A（Ta） 400mW（Ta） DFN2015H4-3
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
16 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
39 毫欧 @ 4A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
10 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
281.9 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
400mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
DFN2015H4-3
封装/外壳
3-XFDFN
基本产品编号
DMG3415
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
DMG3415UFY47
DMG3415UFY4-7DIDKR
DMG3415UFY4-7DICT
DMG3415UFY4-7DITR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Diodes Incorporated DMG3415UFY4-7
相关文档
规格书
1(DMG3415UFY4)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 22/Jan/2018)
PCN 设计/规格
1(Bond Wire 11/Nov/2011)
价格
-
替代型号
型号 : DMP2045UFY4-7
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 0
单价. : ¥2.94000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥2.94000
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