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GermanyIPP530N15N3GXKSA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IPP530N15N3GXKSA1
摘要
MOSFET N-CH 150V 21A TO220-3
详情
通孔 N 通道 150 V 21A（Tc） 68W（Tc） PG-TO220-3-1
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
21A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
53 毫欧 @ 18A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 35µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
12 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
887 pF @ 75 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
68W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3-1
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
IPP530
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IPP530N15N3G
IPP530N15N3 G-ND
IPP530N15N3 G
SP000521722
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPP530N15N3GXKSA1
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仿真模型
1(OptiMOS™ Power MOSFET 150V N-Channel Spice Model)
价格
数量: 100
单价: $11.335
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
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包装: 管件
最小包装数量: 1
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