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GermanyIXGM25N100A
元器件型号详细信息
原厂型号
IXGM25N100A
摘要
POWER MOSFET TO-3
详情
IGBT 1000 V 50 A 200 W 通孔 TO-204AE
原厂/品牌
IXYS
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
IXYS
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
1000 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
50 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
100 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
4V @ 15V，25A
功率 - 最大值
200 W
开关能量
5mJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
180 nC
25°C 时 Td（开/关）值
100ns/500ns
测试条件
800V，25A，33 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
200 ns
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-204AE
供应商器件封装
TO-204AE
基本产品编号
IXGM25
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
加利福尼亚 65 号提案
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/IXYS IXGM25N100A
相关文档
规格书
1(IXG(H,M)25N100(A))
HTML 规格书
1(IXG(H,M)25N100(A))
价格
-
替代型号
-