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GermanyTSM900N06CW RPG
元器件型号详细信息
原厂型号
TSM900N06CW RPG
摘要
MOSFET N-CHANNEL 60V 11A SOT223
详情
表面贴装型 N 通道 60 V 11A（Tc） 4.17W（Tc） SOT-223
原厂/品牌
Taiwan Semiconductor Corporation
原厂到货时间
32 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Taiwan Semiconductor Corporation
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
11A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
90 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
9.3 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
500 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
4.17W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-223
封装/外壳
TO-261-4，TO-261AA
基本产品编号
TSM900
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
TSM900N06CWRPGDKR
TSM900N06CW RPGTR
TSM900N06CW RPGTR-ND
TSM900N06CW RPGCT-ND
TSM900N06CWRPGCT
TSM900N06CW RPGDKR
TSM900N06CW RPGDKR-ND
TSM900N06CW RPGCT
TSM900N06CWRPGTR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Taiwan Semiconductor Corporation TSM900N06CW RPG
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1(TSM900N06 ~)
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价格
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