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GermanyNTLJS1102PTAG
元器件型号详细信息
原厂型号
NTLJS1102PTAG
摘要
MOSFET P-CH 8V 3.7A 6WDFN
详情
表面贴装型 P 通道 8 V 3.7A（Ta） 700mW（Ta） 6-WDFN（2x2）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
µCool™
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
8 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
36 毫欧 @ 6.2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
720mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
25 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±6V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1585 pF @ 4 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
700mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
6-WDFN（2x2）
封装/外壳
6-WDFN 裸露焊盘
基本产品编号
NTLJS11
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
2156-NTLJS1102PTAG
ONSONSNTLJS1102PTAG
2156-NTLJS1102PTAG-ONTR-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi NTLJS1102PTAG
相关文档
规格书
1(NTLJS1102P)
环保信息
1(onsemi RoHS)
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 14/Apr/2010)
HTML 规格书
1(NTLJS1102P)
价格
-
替代型号
-