元器件型号详细信息

原厂型号
TSM80N400CF C0G
摘要
MOSFET N-CH 800V 12A ITO220S
详情
通孔 N 通道 800 V 12A(Tc) 69W(Tc) ITO-220S
原厂/品牌
Taiwan Semiconductor Corporation
原厂到货时间
99 周
EDA/CAD 模型
标准包装
50

技术参数

制造商
Taiwan Semiconductor Corporation
系列
-
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
400 毫欧 @ 2.7A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
51 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1848 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
69W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
ITO-220S
封装/外壳
TO-220-3 整包
基本产品编号
TSM80

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

TSM80N400CF C0G-ND
TSM80N400CFC0G

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Taiwan Semiconductor Corporation TSM80N400CF C0G

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规格书
1(TSM80N400CF)
环保信息
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HTML 规格书
1(TSM80N400CF)
EDA 模型
1(TSM80N400CF C0G by SnapEDA)

价格

数量: 4000
单价: $42.57306
包装: 管件
最小包装数量: 4000

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