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元器件型号详细信息
原厂型号
FESB8JTHE3_A/I
摘要
DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
详情
二极管 600 V 8A 表面贴装型 TO-263AB（D²PAK）
原厂/品牌
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
原厂到货时间
10 周
EDA/CAD 模型
标准包装
800
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
技术
标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）
600 V
电流 - 平均整流 (Io)
8A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.5 V @ 8 A
速度
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr)
50 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
10 µA @ 600 V
不同 Vr、F 时电容
-
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装
TO-263AB（D²PAK）
工作温度 - 结
-55°C ~ 150°C
基本产品编号
FESB8
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
其它名称
FESB8JTHE3/81
FESB8JTHE3/81-ND
112-FESB8JTHE3_A/ITR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/二极管/整流器/单二极管/Vishay General Semiconductor - Diodes Division FESB8JTHE3_A/I
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规格书
1(FES(F,B)8AT - 8JT)
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1(Packaging Information)
PCN 零件编号
1(Mult Dev Site/MPN Chg 20/Dec/2018)
HTML 规格书
1(FES(F,B)8AT - 8JT)
价格
数量: 1600
单价: $7.08336
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1600
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1600
替代型号
型号 : FESB8JT-E3/81
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 800
单价. : ¥10.49000
替代类型. : 参数等效
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单价. : ¥10.49000
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型号 : STTH8R06GY-TR
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型号 : STTH8L06G-TR
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库存 : 78
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